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    而王相武实验室又是徐佑接触科研的启蒙实验室，徐佑每每来到这里，就跟回到自己家里一样亲切。

    经过一段时间的研究，王相武已经取得了很大的突破。

    “这个是离子阱的四级杆阱结构，这种结构可以囚禁住一维离子晶体，电极更容易制作，且具备更高的通光性。它由四根主要的圆柱形电极构成，其中两根作rf电极，两根作为dc电极。根据dc电极是否分段，还可以分为两种结构……”

    “这個是离子阱的刀片阱结构，顾名思义，因为其形状形似刀片，故而得名。我们对其结构进行了如下改进：缩短离子间距，以获得更高的径向量子频率。设置通光孔径，以便在轴向照射激光。改变导线布线的几何结构，从而提升离子阱的热稳定性和通光性……”

    “这个是离子阱的三维芯片阱结构。三维芯片阱的尺寸，介于宏观离子阱和微观离子阱中间，可以被认为是介观离子阱。它具有数十个控制电极，以及更精密的电极结构，能够很好地实现离子链的分离、转移和合并……”

    徐佑认真的听取着王相武的研究成果，并不住的点头。

    对于徐佑交代给王相武的工作，王相武完成得非常的认真，甚至已经超出了徐佑对王相武的预期。

    而在这些各种各样的离子阱中，徐佑最为关注的，是一种名为二维芯片阱的离子阱结构。

    相比三维芯片阱，二维芯片阱的性能要差出一些。

    不过由于二维芯片阱采用的是微纳加工技术，可以小型化和批量生产，这让这种类型的离子阱，更加适合用于小型量子计算机当中。

    “王老师，我觉得我们今后的研究，可以以二维芯片阱为主了。接下来的时间里，我们需要尽可能的完善二维芯片阱的设计理念与加工方法，并优化二维芯片阱的结构。”

    “是的，在之前的研究中，我也觉得二维芯片阱是最适合用于我们的这个项目中的。因此在我们的研究中，二维芯片阱是我们最得做多的一个分支。”

    说着，王相武拿出了一些更详细的实验数据，向徐佑进一步的讲解着。

    “常规的二维芯片阱，会存在通光性不够的问题。为了解决这个问题，我们优化了芯片的设计。这是我们优化后的设计图，在结构上可以解决光束被遮挡的问题。”
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